Бүгін OFC2024-ті қарастырайықфотодетекторлар, оларға негізінен GeSi PD/APD, InP SOA-PD және UTC-PD кіреді.
1. UCDAVIS әлсіз резонанстық 1315,5 нм симметриялы емес Fabry-Perot шығарадыфотодетекторсыйымдылығы өте аз, 0,08fF деп бағаланады. Қиындық -1В (-2В) болғанда, қараңғы ток 0,72 нА (3,40 нА), ал жауап беру жылдамдығы 0,93а /Вт (0,96а /Вт) болады. Қаныққан оптикалық қуат 2 мВт (3 мВт). Ол 38 ГГц жоғары жылдамдықтағы деректер эксперименттерін қолдай алады.
Төмендегі диаграмма AFP PD құрылымын көрсетеді, ол Ge-on-ге қосылған толқын өткізгіштен тұрады.Si фотодетекторы<10% шағылыстыру қабілетімен > 90% режимге сәйкес келетін алдыңғы SOI-Ge толқын өткізгішімен. Артқы жағы - >95% шағылыстыру қабілеті бар бөлінген Bragg рефлекторы (DBR). Оңтайландырылған қуыс дизайны арқылы (қайтару фазасының сәйкестік шарты) AFP резонаторының шағылысуын және берілуін жоюға болады, нәтижесінде Ge детекторының 100% дерлік сіңірілуіне әкеледі. Орталық толқын ұзындығының бүкіл 20 нм өткізу жолағында, R+T <2% (-17 дБ). Ge ені 0,6 мкм және сыйымдылығы 0,08 фФ деп бағаланады.
2, Хуажун ғылым және технология университеті кремний германийін шығардыкөшкін фотодиод, өткізу қабілеттілігі >67 ГГц, күшейту >6,6. SACMAPD фотодетекторыКөлденең құбырлы өткелдің құрылымы кремнийлі оптикалық платформада жасалған. Өзіндік германий (i-Ge) және меншікті кремний (i-Si) сәйкесінше жарықты жұтатын қабат және электрондарды қосарлағыш қабат ретінде қызмет етеді. Ұзындығы 14 мкм болатын i-Ge аймағы 1550 нм-де жеткілікті жарықты сіңіруге кепілдік береді. Шағын i-Ge және i-Si аймақтары фототоктың тығыздығын арттыруға және жоғары ығысу кернеуі кезінде өткізу жолағын кеңейтуге қолайлы. APD көз картасы -10,6 В шамасында өлшенді. Кіріс оптикалық қуаты -14 дБм болғанда, 50 Гб/с және 64 Гб/с OOK сигналдарының көз картасы төменде көрсетілген, ал өлшенген SNR 17,8 және 13,2 дБ. , тиісінше.
3. IHP 8 дюймдік BiCMOS пилоттық желісі германийді көрсетедіPD фотодетекторыені шамамен 100 нм, ол ең жоғары электр өрісін және ең қысқа фототасымалдаушы дрейф уақытын жасай алады. Ge PD OE өткізу қабілеттілігі 265 ГГц@2В@ 1,0мА тұрақты ток фототок. Процесс ағыны төменде көрсетілген. Ең үлкен ерекшелігі - дәстүрлі SI аралас иондық имплантациядан бас тартылып, германийге иондық имплантацияның әсерін болдырмау үшін өсу сызбасы қабылданған. Қараңғы ток 100нА,R = 0,45А /Вт.
4, HHI SSC, MQW-SOA және жоғары жылдамдықты фотодетектордан тұратын InP SOA-PD көрсетеді. O-диапазон үшін. PD 1 дБ PDL кемінде 0,57 A/W жауап беру қабілетіне ие, ал SOA-PD 1 дБ PDL төмен болғанда 24 А/Вт жауап береді. Екеуінің өткізу қабілеті ~60 ГГц, ал 1 ГГц айырмашылығы SOA резонанстық жиілігіне жатқызылуы мүмкін. Нақты көз кескінінде үлгі әсері байқалмады. SOA-PD қажетті оптикалық қуатты 56 Гбайтта шамамен 13 дБ азайтады.
5. ETH 60 ГГц@ нөлдік ығысу өткізу қабілеттілігімен және 100 ГГц жиілікте -11 DBM жоғары шығыс қуатымен жетілдірілген GaInAsSb/InP UTC-PD II түрін жүзеге асырады. GaInAsSb электронды тасымалдау мүмкіндіктерін пайдалана отырып, алдыңғы нәтижелердің жалғасы. Бұл құжатта оңтайландырылған сіңіру қабаттары 100 нм қатты легірленген GaInAsSb және 20 нм қосылмаған GaInAsSb қамтиды. NID қабаты жалпы жауап беру қабілетін жақсартуға көмектеседі, сонымен қатар құрылғының жалпы сыйымдылығын азайтуға және өткізу қабілеттілігін жақсартуға көмектеседі. 64μm2 UTC-PD 60 ГГц нөлдік жолақ ені, 100 ГГц жиілікте шығыс қуаты -11 дБм және қанықтыру тогы 5,5 мА. 3 В кері ығысу кезінде өткізу қабілеттілігі 110 ГГц-ке дейін артады.
6. Innolight германий кремнийі фотодетекторының жиілік реакциясының моделін құрылғының қоспалауын, электр өрісінің таралуын және фотогенерацияланған тасымалдаушы тасымалдау уақытын толық есепке алу негізінде құрды. Көптеген қосымшаларда үлкен кіріс қуаты мен жоғары өткізу қабілеттілігі қажеттілігіне байланысты үлкен оптикалық қуат кірісі өткізу қабілеттілігінің төмендеуіне әкеледі, ең жақсы тәжірибе құрылымдық дизайн арқылы германийдегі тасымалдаушы концентрациясын азайту болып табылады.
7, Цинхуа университеті UTC-PD үш түрін жобалады, (1) 100 ГГц өткізу қабілеттілігі екі дрейф қабаты (DDL) құрылымы жоғары қанықтығы UTC-PD, (2) 100 ГГц өткізу қабілеттілігі жоғары қос дрейф қабаты (DCL) құрылымы UTC-PD жоғары жауап беруі. , (3) 230 ГГц өткізу қабілеті жоғары қанықтығы бар MUTC-PD. Әртүрлі қолданба сценарийлері үшін жоғары қанықтылық қуаты, жоғары өткізу қабілеттілігі және жоғары жауап беру қабілеті болашақта 200G дәуіріне кіргенде пайдалы болуы мүмкін.
Жіберу уақыты: 19 тамыз 2024 ж